Toshiba lança MOSFETs de carboneto de silício (SiC) de 3ª geração com perdas de comutação reduzidas

Dec 03, 2023

Novos dispositivos no pacote de 4 pinos oferecem melhor desempenho de comutação do MOSFET em aplicações industriais

A Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lançou a série TWxxxZxxxC de dez MOSFETs de carboneto de silício (SiC) baseados em sua tecnologia de terceira geração. Destinam-se a reduzir perdas numa ampla variedade de aplicações industriais, incluindo fontes de alimentação chaveadas para servidores e centros de dados, estações de carregamento de veículos elétricos (EV), inversores fotovoltaicos (PV) e fontes de alimentação ininterruptas (UPS).

Os dispositivos da série TWxxxZxxxC são os primeiros produtos Toshiba SiC a serem alojados em um pacote TO-247-4L(X) com um quarto pino. Isto permite o fornecimento de uma conexão Kelvin do terminal da fonte de sinal para o acionamento da porta, reduzindo assim os efeitos de indutância parasita do fio da fonte interna e melhorando o desempenho de comutação de alta velocidade. Comparar o TW045Z120C com o TW045N120C existente da Toshiba (TO-247 de 3 pinos) mostra uma melhoria na perda ao ligar de aproximadamente 40%, enquanto a perda ao desligar é melhorada em cerca de 34%.

A nova série TWxxxZxxxC inclui cinco dispositivos com classificação de fonte de drenagem (VDSS) de 650 V e mais cinco dispositivos classificados em 1200 V para aplicações de tensão mais alta. Os valores típicos de resistência de fonte de drenagem (RDS(ON)GD) permitirão baixas perdas mesmo em aplicações de alta frequência.

Os dispositivos são capazes de fornecer correntes de drenagem contínuas (ID) de até 100A.

FONTE:Toshiba